- 您现在的位置：买卖IC网 > Sheet目录484 > NP34N055SHE-E1-AY (Renesas Electronics America)MOSFET N-CH 55V 34A TO-252
NP34N055HHE, NP34N055IHE, NP34N055SHE
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C)
CHARACTERISTICS
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate Leakage Current
Gate to Source Threshold Voltage
SYMBOL
I DSS
I GSS
V GS(th)
TEST CONDITIONS
V DS = 55 V, V GS = 0 V
V GS = ±20 V, V DS = 0 V
V DS = V GS , I D = 250 μ A
MIN.
2.0
TYP.
3.0
MAX.
10
±10
4.0
UNIT
μ A
μ A
V
Forward Transfer Admittance
Note
| y fs |
V DS = 10 V, I D = 17 A
6
12
S
Drain to Source On-state Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate to Source Charge
Gate to Drain Charge
Note
Body Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Note
R DS(on)
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q G
Q GS
Q GD
V F(S-D)
t rr
Q rr
V GS = 10 V, I D = 17 A
V DS = 25 V
V GS = 0 V
f = 1 MHz
V DD = 28 V, I D = 17 A
V GS = 10 V
R G = 1 ?
V DD = 44 V
V GS = 10 V
I D = 34 A
I F = 34 A, V GS = 0 V
I F = 34 A, V GS = 0 V
di/dt = 100 A/ μ s
15
1600
250
120
21
15
35
12
30
9
12
1.0
40
58
19
2400
380
220
47
38
70
29
45
m ?
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
Note Pulsed
TEST CIRCUIT 1 AVALANCHE CAPABILITY
TEST CIRCUIT 2 SWITCHING TIME
PG.
D.U.T.
R G = 25 ?
50 ?
L
V DD
PG.
D.U.T.
R G
R L
V DD
V GS
Wave Form
V GS
0
10%
V GS
90%
V GS = 20 → 0 V
V DS
90%
90%
V DD
I D
I AS
BV DSS
V DS
V GS
0
τ
V DS
Wave Form
V DS
0
t d(on)
10%
t r
10%
t d(off)
t f
Starting T ch
τ = 1 μ s
Duty Cycle ≤ 1%
t on
t off
TEST CIRCUIT 3 GATE CHARGE
D.U.T.
I G = 2 mA
R L
2
PG.
50 ?
V DD
Data Sheet D14153EJ4V0DS
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
NP34N055SLE-E1-AY
MOSFET N-CH 55V 34A TO-252
NP36N055SHE-E1-AY
MOSFET N-CH 55V 36A TO252
NP36N055SLE-E1-AY
MOSFET N-CH 55V 36A TO-252
NP36P04KDG-E1-AY
MOSFET P-CH -40V -36A TO-263
NP36P04SDG-E1-AY
MOSFET P-CH -40V -36A TO-252
NP36P06KDG-E1-AY
MOSFET P-CH -60V -36A TO-263
NP40N055MLE-S18-AY
MOSFET N-CH 55V 40A TO-220
NP50P04KDG-E1-AY
MOSFET P-CH -40V -50A TO-263
相关代理商/技术参数
NP34N055SLE-E1-AY
功能描述:MOSFET N-CH 55V 34A TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
NP34W
制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:WALLPLATE, 3-G, 3 STRP MT BLANK, WH
NP3500SAMCT3G
制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:50A, Ultra Low Capacitance TSPD
NP3500SAT3G
功能描述:硅对称二端开关元件 50A 350V TSPD SMB RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
NP3500SB1T3G
功能描述:肖特基二极管与整流器 330V 80A SMB SPCL THY RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
NP3500SBMCT3G
功能描述:硅对称二端开关元件 LOW CAP TSPD SURGE DEVICE RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
NP3500SBT3G
功能描述:硅对称二端开关元件 80A 350V TSPD SMB RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
NP3500SCG
功能描述:硅对称二端开关元件 THY SMB 10A 350V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA